D封装技术通过将多个芯片层垂直堆叠来提高集成度和性能。

3D封装技术

3D封装技术通过将多个芯片层垂直堆叠来提高集成度和性能。这种技术可以减少芯片间的连线长度，提高带宽，降低功耗，并且可以在更小的空间内实现更高的计算能力。主要形式包括：

晶圆级封装（WLP）：在单个晶圆上完成封装，适用于需要高密度互连的小型芯片。

垂直堆叠（3D IC）：将多个芯片层垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）连接，提供更高的带宽和更低的延迟。

这些技术正在被广泛应用于高性能计算、内存和移动设备中。

晶圆级封装

晶圆级封装（WLP）是一种将整个晶圆上的多个芯片直接封装在一起的技术，而不是先切割成单独的芯片再进行封装。其优点包括：

更小的体积：通过减少封装体积，WLP可以使最终产品更紧凑。

更低的功耗：减少了芯片间的连线长度，有助于降低功耗和提高信号完整性。

成本效益：由于在晶圆级别进行封装，可能减少了封装和测试过程中的成本。

WLP适用于需要高密度互连和小型封装的应用，如智能手机和高性能计算设备。

垂直堆叠（3D IC）

垂直堆叠（3D IC）技术通过将多个功能层垂直堆叠在一起，并使用硅通孔（TSV）进行电气连接。这种技术具有以下优点：

提高带宽：TSV技术提供了比传统2D封装更高的带宽，减少了数据传输延迟。

节省空间：通过堆叠芯片，可以在更小的面积内实现更多的功能。

降低功耗：缩短了芯片间的连接距离，从而减少了功耗。

这种技术适用于需要高性能和高集成度的应用，如高性能计算和内存模块。